为逻辑芯片和存储芯片等应用供给高性价比的刻蚀解决筹划
中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）在SEMICON China 2021时代正式宣布了新一代电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star?，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。
中微公司双反响台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin-Star?
基于中微公司业已成熟的单台反响器的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技巧和双台反响器的Primo平台，Primo Twin-Star?为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等供给了高性价比的刻蚀解决筹划。它的立异设计包含：Primo Twin-Star?应用了双反响台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计，立异的反响腔设计可最大年夜程度减弱非中间对称抽气口效应，经由过程采取多区温控静电吸盘（ESC）加强了对关键尺寸平均性和反复性的控制。
凭借这些优良的机能和其他特点，与其他同类设备比拟，Primo Twin-Star? 以更小的占地面积、更低的临盆成本和更高的输出效力，进行ICP实用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各类刻蚀应用，并用于功率器件和CMOS图像传感器（CIS）的刻蚀应用。因为Primo Twin-Star?反响器在很多方面采取了和单台机Primo nanova?雷同或类似的设计，在浩瀚的刻蚀应用中，Primo Twin-Star?显示了和单台反响器雷同的刻蚀成果。这就给客户供给了高质量、高输出和低成本的解决筹划。
中微公司的Primo Twin-Star?刻蚀设备已收到来自国内领先客户的订单。今朝，首台Primo Twin-Star?设备已交付客户投入临盆，良率稳定。公司还在进行用于不合刻蚀应用的多项评估。Primo Twin-Star?设备优化了中微公司电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备产品线。
“如今的制造商对于临盆成今天益敏感，我们的目标是为客户供给技巧立异、高临盆率和高性价比的ICP刻蚀解决筹划。”中微公司集团副总裁兼等离子体刻蚀产品事业总部总经理倪图强博士说道，“Primo Twin-Star?设备已在各类前道/后道制程、用于功率器件和CIS应用的深沟槽隔离刻蚀（DTI）中表示出卓越的机能。经由过程供给兼具这些优良机能和高性价比的解决筹划，我们不仅赞助客户解决了技巧难题，同时最大年夜程度地晋升了其投资效益。”
Primo Twin-Star?是中微公司的注册商标。
